г. Чита GMT+9
Информация

Обработка звонков, чата и почты только в рабочее время! GTM+9, наше время тикает в шапке сайта!

Поиск

Радиодетали

Выберите подкатегорию
CL01-12 диод высоковольтный 12кВ 350мА
Максимальное импульсное обратное напряжение, кВ - 14,4
Максимальное постоянное обратное напряжение, кВ - 12
Максимальный прямой ток, мА - 350

85р.

Максимальное импульсное обратное напряжение, кВ - 14,4
Максимальное постоянное обратное напряжение, кВ - 12
Максимальный прямой ток, мА - 350
CS5082E контроллер заряда Boost, SOP-8, Chipstar
Применение - Для заряда двухэлементного Li-on аккумулятора
Тип корпуса - SOP-8
Тип микросхемы - контроллер заряда Boost

520р.

Применение - Для заряда двухэлементного Li-on аккумулятора
Тип корпуса - SOP-8
Тип микросхемы - контроллер заряда Boost
CS8N25 MOSFET N-канал 8A 250V, TO-252
Аналоги - CS8N25A4H, CS8N25A8H, CS8N25F
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 12
Количество транзисторов - 1

145р.

Аналоги - CS8N25A4H, CS8N25A8H, CS8N25F
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 12
Количество транзисторов - 1
CSC7203 AC/DC Power Supply Control, DIP-8
Тип корпуса - DIP-8
Тип микросхемы - AC/DC Power Supply Control

125р.

Тип корпуса - DIP-8
Тип микросхемы - AC/DC Power Supply Control
CSC7222 AC/DC Power Supply Control, DIP-8
Тип корпуса - DIP-8
Тип микросхемы - AC/DC Power Supply Control

125р.

Тип корпуса - DIP-8
Тип микросхемы - AC/DC Power Supply Control
CSC7224 AC/DC Power Supply Control, DIP-8
Тип корпуса - DIP-8
Тип микросхемы - AC/DC Power Supply Control

125р.

Тип корпуса - DIP-8
Тип микросхемы - AC/DC Power Supply Control
CSC7225 AC/DC Power Supply Control, DIP-8
Тип корпуса - DIP-8
Тип микросхемы - AC/DC Power Supply Control

125р.

Тип корпуса - DIP-8
Тип микросхемы - AC/DC Power Supply Control
CX20672-11Z HD Audio Codec Conexant QFN-40
Тип корпуса - QFN-40
Тип микросхемы - HD Audio Codec

140р.

Тип корпуса - QFN-40
Тип микросхемы - HD Audio Codec
DB107S диодный мост 1000V 1.5A [DB-1S]
Максимальное прямое напряжение - 1000V
Прямой ток (макс) - 1.5A
Тип корпуса - DB-1S

27р.

Максимальное прямое напряжение - 1000V
Прямой ток (макс) - 1.5A
Тип корпуса - DB-1S
DB207S диодный мост 1000V 2А [SOP]
Максимальное прямое напряжение - 1000V
Прямой ток (макс) -
Тип корпуса - SOP

35р.

Максимальное прямое напряжение - 1000V
Прямой ток (макс) -
Тип корпуса - SOP
ETA9740 контроллер заряда Li-ion аккумуляторов, SOP-8
Тип корпуса - SOP-8
Тип микросхемы - контроллер заряда Li-ion аккумуляторов

91р.

Тип корпуса - SOP-8
Тип микросхемы - контроллер заряда Li-ion аккумуляторов
FA6B20N AC/DC Power Supply Control, SOP-16
Тип корпуса - SOP-16
Тип микросхемы - AC/DC Power Supply Control

150р.

Тип корпуса - SOP-16
Тип микросхемы - AC/DC Power Supply Control
ХИТ ПРОДАЖ
FAN6961SZB PFC Power Factor Controller, Fairchild
Тип микросхемы - PFC Power Factor Controller

115р.

Тип микросхемы - PFC Power Factor Controller
FAN7530 PFC Power Factor Controller, SOP-8
Применение - Блоки питания в телевизорах Samsung LE серии
Тип корпуса - SOP-8
Тип микросхемы - PFC Power Factor Controller

83р.

Применение - Блоки питания в телевизорах Samsung LE серии
Тип корпуса - SOP-8
Тип микросхемы - PFC Power Factor Controller
FAN7930B Critical Conduction Mode PFC Controller, SOP-8
Аналоги - HS01J

69р.

Аналоги - HS01J
FCPF15N60 MOSFET N-канальный, TO-220F
Корпус - TO-220F
Тип транзистора - MOSFET

110р.

Корпус - TO-220F
Тип транзистора - MOSFET
FCPF20N60 MOSFET N-канальный, TO-220F
Корпус - TO-220F
Структура - N-канал
Тип транзистора - MOSFET

105р.

Корпус - TO-220F
Структура - N-канал
Тип транзистора - MOSFET
FDD390N15ALZ MOSFET N-канал 26A 150V (TO-252)
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 9,3
Корпус - TO-252
Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

175р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 9,3
Корпус - TO-252
Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150
FDS4559 MOSFET N+P-канал 4.5A 60V, SOP-8
Аналоги - FDS4501H
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 8
Количество транзисторов - 2

120р.

Аналоги - FDS4501H
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 8
Количество транзисторов - 2
FQPF12N60 MOSFET N-канал 12A 600V, TO-220F
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 115
Корпус - TO-220F
Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

275р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 115
Корпус - TO-220F
Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150
FQPF20N60C MOSFET N-канал 20A 600V, TO-220F
Корпус - TO-220F
Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V - 600
Максимальный ток стока (Id), А - 20

320р.

Корпус - TO-220F
Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V - 600
Максимальный ток стока (Id), А - 20
FQPF4N60C MOSFET N-канал 4A 600V, TO-220F
Корпус - TO-220F
Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V - 600
Максимальный ток стока (Id), А - 4

33р.

Корпус - TO-220F
Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V - 600
Максимальный ток стока (Id), А - 4
FQPF7N80C N-канал 7A 800V (TO-220F)
Максимальный непрерывный ток стока, А - 7
Напряжение исток-сток - 800V
Структура - N-канал

115р.

Максимальный непрерывный ток стока, А - 7
Напряжение исток-сток - 800V
Структура - N-канал
FQPF9N60C MOSFET N-канальный 9A 600V, TO-220F
Корпус - TO-220F
Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V - 600
Максимальный ток стока (Id), А - 9

125р.

Корпус - TO-220F
Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V - 600
Максимальный ток стока (Id), А - 9
Показано с 97 по 120 из 908 (всего 38 страниц)