Транзисторы

ПОПУЛЯРНЫЙ

IRF3205PBF MOSFET N-канал 110A 55V, TO-220AB

Корпус - TO-220AB

Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V - 55

Максимальный ток стока (Id), А - 110

52р.

Корпус - TO-220AB

Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V - 55

Максимальный ток стока (Id), А - 110

ПОПУЛЯРНЫЙ

IRF4905PBF P-канальный 74A 55V (TO-220AB)

60р.

ПОПУЛЯРНЫЙ

IRF6775MTRPBF MOSFET N-канал (QFN)

Структура - N-канал

Тип корпуса - QFN

Тип транзистора - MOSFET

315р.

Структура - N-канал

Тип корпуса - QFN

Тип транзистора - MOSFET

ПОПУЛЯРНЫЙ

IRF740P N-канал 10A 400V (TO-220AB)

36р.

ПОПУЛЯРНЫЙ

IRF7904PBF 2N-канала 7,6A 30V (SOP-8)

98р.

ПОПУЛЯРНЫЙ

IRF840PBF N-канал 8A 500V (TO-220AB)

42р.

IRL2505 MOSFET N-канал 104A 55V 200W, TO-220AB

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 160

Корпус - TO-220AB

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 175

140р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 160

Корпус - TO-220AB

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 175

ПОПУЛЯРНЫЙ

IRLML2803GTRPBF 1,2A 30V (B8HGB), SOT-23

Количество транзисторов - 1

Корпус - SOT-23

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - -55

9р.

Количество транзисторов - 1

Корпус - SOT-23

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - -55

ПОПУЛЯРНЫЙ

IRLML6402TRPBF (EKWAB) P-канал 3,7A 20V (SOT-23)

12р.

ПОПУЛЯРНЫЙ

MBRD6010D MOSFET N-канал 12A 60V (B6010D), TO-252

Корпус - TO-252

Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V - 60

Максимальный ток стока (Id), А - 12

180р.

Корпус - TO-252

Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V - 60

Максимальный ток стока (Id), А - 12

ПОПУЛЯРНЫЙ

MDD70R900P MOSFET N-канал 5A 700V, TO-252

Корпус - TO-252

Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V - 700

Максимальный ток стока (Id), А - 5

43р.

Корпус - TO-252

Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V - 700

Максимальный ток стока (Id), А - 5

ПОПУЛЯРНЫЙ

ME15N10 MOSFET N-канал 14.7A 100V, TO-252

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 33

Корпус - TO-252

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

51р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 33

Корпус - TO-252

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

ПОПУЛЯРНЫЙ

ME20N10 MOSFET N-канал 15A 100V, TO-252

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 50

Корпус - TO-252

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 175

100р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 50

Корпус - TO-252

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 175

ПОПУЛЯРНЫЙ

ME25N10 MOSFET N-канал 40A 100V, TO-252

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 50

Корпус - TO-252

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 175

100р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 50

Корпус - TO-252

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 175

ПОПУЛЯРНЫЙ

MMD65R900Q MOSFET N-канал 4.7A 650V, TO-252

Аналоги - 65R900

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 24

Корпус - TO-252

115р.

Аналоги - 65R900

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 24

Корпус - TO-252

ХИТ ПРОДАЖ

ПОПУЛЯРНЫЙ

OSG65R360DE MOSFET N-канал 12A 650V, TO-252

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 24,8

Корпус - TO-252

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

210р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 24,8

Корпус - TO-252

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

ПОПУЛЯРНЫЙ

OSG65R380DT MOSFET N-канал 11A 650V, TO-252

Аналоги - IPD65R250C6, IPD65R250E6, OSG65R380DF, OSG65R380DTF, OSS65R340DF, OSS70R350DF

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 5,4

Корпус - TO-252

205р.

Аналоги - IPD65R250C6, IPD65R250E6, OSG65R380DF, OSG65R380DTF, OSS65R340DF, OSS70R350DF

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 5,4

Корпус - TO-252

ПОПУЛЯРНЫЙ

P2504BDG MOSFET N-канал 32A 40V 41.6W, TO-252

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 7,2

Корпус - TO-252

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

76р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 7,2

Корпус - TO-252

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

ПОПУЛЯРНЫЙ

P4404EDG MOSFET P-канал 20A 40V 30W, TO-252

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 9,2

Корпус - TO-252

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

70р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 9,2

Корпус - TO-252

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

ПОПУЛЯРНЫЙ

PH7030AL MOSFET N-канал 76A 30V, LFPAK

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 39

Корпус - LFPAK

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 175

115р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 39

Корпус - LFPAK

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 175

ПОПУЛЯРНЫЙ

QM4013D MOSFET P-канал 23A 40V, TO-252

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 12,8

Корпус - TO-252

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

41р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 12,8

Корпус - TO-252

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

ПОПУЛЯРНЫЙ

SP8M3 NP-канальный, 30V, 5A, SOP-8

Корпус - SOP-8

Максимальное напряжение - 30V

Максимальный ток - 5A

49р.

Корпус - SOP-8

Максимальное напряжение - 30V

Максимальный ток - 5A

ПОПУЛЯРНЫЙ

STP10NK80ZFP полевой N-канал 10A 800V (TO-220F)

Максимальный непрерывный ток стока, А - 10

Напряжение исток-сток - 800V

Структура - N-канал

68р.

Максимальный непрерывный ток стока, А - 10

Напряжение исток-сток - 800V

Структура - N-канал

STU432S MOSFET N-канал 50A 40V 42W, TO-252

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 18

Импульсный ток стока (Idm), А - 147

Корпус - TO-252 DPAK

94р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 18

Импульсный ток стока (Idm), А - 147

Корпус - TO-252 DPAK

Транзисторы

Биполярные (30)

Полевые (96)

IGBT (5)

+7 (914) 430-6000

ВРЕМЯ РАБОТЫ

СЕРВИСНЫЙ ЦЕНТР

ДОСТАВКА