+7(914)430-6000
info@tesla-chita.ru
  • Отвечаем на звонки и сообщения в рабочие дни с 10 до 18 ч. Суббота и воскресенье выходной.
г. Чита GMT+9
Информация

Обработка звонков, чата и почты только в рабочее время! GTM+9, наше время тикает в шапке сайта!

Поиск

Транзисторы

Выберите подкатегорию
Биполярные (27)
IGBT (5)
Полевые (93)
AOD2910 MOSFET N-канал 31A 100V 53,5W (D2910), TO-252
AOD2910 MOSFET N-канал 31A 100V 53,5W (D2910), TO-252
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 8
Корпус - TO-252
Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 175

61р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 8
Корпус - TO-252
Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 175
AOD2922 MOSFET N-канал 7A 100V 17W (D2922), TO-252
AOD2922 MOSFET N-канал 7A 100V 17W (D2922), TO-252
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 3
Корпус - TO-252
Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 175

110р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 3
Корпус - TO-252
Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 175
ПОПУЛЯРНЫЙ
AOD4185 MOSFET P-канал 31A 40V, TO-252
AOD4185 MOSFET P-канал 31A 40V, TO-252
Корпус - TO-252
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 31
Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V - 40

49р.

Корпус - TO-252
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 31
Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V - 40
AOD4286 MOSFET N-канал 14A 100V 30W (D4286), TO-252
AOD4286 MOSFET N-канал 14A 100V 30W (D4286), TO-252
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 2,5
Корпус - TO-252
Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 175

175р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 2,5
Корпус - TO-252
Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 175
ПОПУЛЯРНЫЙ
AON6400 MOSFET N-канал 160A 30V, DFN8
AON6400 MOSFET N-канал 160A 30V, DFN8
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 13
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8

125р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 13
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8
ПОПУЛЯРНЫЙ
AON6407 MOSFET P-канал -67A -30V, DFN8
AON6407 MOSFET P-канал -67A -30V, DFN8
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 33

115р.

Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 33
ПОПУЛЯРНЫЙ
AON6410 MOSFET N-канал 24A 30V, DFN8
AON6410 MOSFET N-канал 24A 30V, DFN8
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 6,3
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8

115р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 6,3
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8
ПОПУЛЯРНЫЙ
AON6411 MOSFET P-канал -85A -20V, DFN8
AON6411 MOSFET P-канал -85A -20V, DFN8
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 18
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8

125р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 18
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8
ПОПУЛЯРНЫЙ
AON6414 MOSFET N-канал 30A 30V, DFN8
AON6414 MOSFET N-канал 30A 30V, DFN8
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 5,5
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8

150р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 5,5
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8
ПОПУЛЯРНЫЙ
AON6414A MOSFET N-канал 50A 30V, DFN8
AON6414A MOSFET N-канал 50A 30V, DFN8
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 2
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8

67р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 2
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8
ПОПУЛЯРНЫЙ
AON6435 MOSFET P-канал -21.5A -30V, DFN8
AON6435 MOSFET P-канал -21.5A -30V, DFN8
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 12,5

115р.

Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 12,5
ПОПУЛЯРНЫЙ
AON6754 MOSFET N-канал 85A 30V, DFN8
AON6754 MOSFET N-канал 85A 30V, DFN8
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8
Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V - 30

96р.

Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8
Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V - 30
AON7402 MOSFET N-канал 39A, DFN3X3EP
AON7402 MOSFET N-канал 39A, DFN3X3EP
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 2,2
Корпус - DFN3X3EP
Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

79р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 2,2
Корпус - DFN3X3EP
Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150
AON7403 MOSFET P-канал 25A, DFN3X3EP
AON7403 MOSFET P-канал 25A, DFN3X3EP
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 8,5
Корпус - DFN3X3EP
Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

48р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 8,5
Корпус - DFN3X3EP
Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150
AON7406 MOSFET N-канал 25A, DFN3X3EP
AON7406 MOSFET N-канал 25A, DFN3X3EP
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 3,5
Корпус - DFN3X3EP
Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

75р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 3,5
Корпус - DFN3X3EP
Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150
AON7407 MOSFET P-канал 40A, DFN3X3EP
AON7407 MOSFET P-канал 40A, DFN3X3EP
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 32
Корпус - DFN3X3EP
Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

75р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 32
Корпус - DFN3X3EP
Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150
AON7408 MOSFET N-канал 32A, DFN3X3EP
AON7408 MOSFET N-канал 32A, DFN3X3EP
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 12
Корпус - DFN3X3EP
Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

51р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 12
Корпус - DFN3X3EP
Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150
ПОПУЛЯРНЫЙ
AON7409 MOSFET P-канал 32A, DFN3X3EP
AON7409 MOSFET P-канал 32A, DFN3X3EP
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 12
Корпус - DFN3X3EP
Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

79р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 12
Корпус - DFN3X3EP
Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150
AON7410 MOSFET N-канал 24A, DFN3X3EP
AON7410 MOSFET N-канал 24A, DFN3X3EP
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 3,2
Корпус - DFN3X3EP
Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

48р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 3,2
Корпус - DFN3X3EP
Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150
AON7412 MOSFET N-канал 16A, DFN3X3EP
AON7412 MOSFET N-канал 16A, DFN3X3EP
Аналоги - AON7410, AON7418, AON7414, AON7416
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 8
Корпус - DFN3X3EP

83р.

Аналоги - AON7410, AON7418, AON7414, AON7416
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 8
Корпус - DFN3X3EP
AONS32314 MOSFET N-канал 32A, DFN5X6
AONS32314 MOSFET N-канал 32A, DFN5X6
Аналоги - AONS32306
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 7,5
Корпус - DFN5X6

265р.

Аналоги - AONS32306
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 7,5
Корпус - DFN5X6
ПОПУЛЯРНЫЙ
AOP605 MOSFET NP-канал, 30 V, 7.5(6.6) A, 0.028(0.035) Ом, DIP-8
AOP605 MOSFET NP-канал, 30 V, 7.5(6.6) A, 0.028(0.035) Ом, DIP-8
Корпус - DIP-8
Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V - 30
Максимальный ток сток-исток, А - 7.5(6.6)

40р.

Корпус - DIP-8
Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V - 30
Максимальный ток сток-исток, А - 7.5(6.6)
ПОПУЛЯРНЫЙ
AP4511GH MOSFET N+P-канал 15A 35V, DPAK-5
AP4511GH MOSFET N+P-канал 15A 35V, DPAK-5
Корпус - DPAK-5
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 10,4
Максимальное напряжение Затвор-Исток (Ugs), V - 20

56р.

Корпус - DPAK-5
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 10,4
Максимальное напряжение Затвор-Исток (Ugs), V - 20
ПОПУЛЯРНЫЙ
AP4525GEH MOSFET N+P-канал 15A 40V, DPAK-5
AP4525GEH MOSFET N+P-канал 15A 40V, DPAK-5
Количество транзисторов - 2
Корпус - DPAK-5
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 10,4

57р.

Количество транзисторов - 2
Корпус - DPAK-5
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 10,4
Показано с 25 по 48 из 126 (всего 6 страниц)