г. Чита GMT+9

Режим работы

29 и 30 апреля с 10:00-17:00, 2 и 3 мая с 10:00-18:00

Транзисторы

Выберите подкатегорию
AO4828 MOSFET 2N-канал, 60V, 4.5A, 0.065 Ом, SOP-8
Корпус - SOP-8
Максимальное напряжение Сток-Исток (Vds), V - 60V
Максимальный ток сток-исток, А - 4.5A

81р.

Корпус - SOP-8
Максимальное напряжение Сток-Исток (Vds), V - 60V
Максимальный ток сток-исток, А - 4.5A
AOD4185 MOSFET P-канал 31A 40V, TO-252
Корпус - TO-252
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 31
Максимальное напряжение Сток-Исток (Vds), V - 40

49р.

Корпус - TO-252
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 31
Максимальное напряжение Сток-Исток (Vds), V - 40
AON6400 MOSFET N-канал 160A 30V, DFN8
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 13
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8/DFN5X6

170р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 13
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8/DFN5X6
AON6407 MOSFET P-канал -67A -30V, DFN8
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 33

155р.

Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 33
AON6410 MOSFET N-канал 24A 30V, DFN8
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 6,3
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8/DFN5X6

155р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 6,3
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8/DFN5X6
AON6411 MOSFET P-канал -85A -20V, DFN8
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 18
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8

170р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 18
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8
AON6414 MOSFET N-канал 30A 30V, DFN8
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 5,5
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8

200р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 5,5
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8
AON6414A MOSFET N-канал 50A 30V, DFN8
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 2
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8

90р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 2
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8
AON6435 MOSFET P-канал -21.5A -30V, DFN8
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 12,5

155р.

Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 12,5
AON6754 MOSFET N-канал 85A 30V, DFN8
Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8/DFN5X6
Максимальное напряжение Сток-Исток (Vds), V - 30

130р.

Количество транзисторов - 1
Корпус - DFN8/DFN5X6
Максимальное напряжение Сток-Исток (Vds), V - 30
AOP605 MOSFET NP-канал, 30 V, 7.5(6.6) A, 0.028(0.035) Ом, DIP-8
Корпус - DIP-8
Максимальное напряжение Сток-Исток (Vds), V - 30
Максимальный ток сток-исток, А - 7.5(6.6)

99р.

Корпус - DIP-8
Максимальное напряжение Сток-Исток (Vds), V - 30
Максимальный ток сток-исток, А - 7.5(6.6)
AP4511GH MOSFET N+P-канал 15A 35V, DPAK-5
Корпус - DPAK-5
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 10,4
Максимальное напряжение Затвор-Исток (Vgs), V - 20

56р.

Корпус - DPAK-5
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 10,4
Максимальное напряжение Затвор-Исток (Vgs), V - 20
AP4525GEH MOSFET N+P-канал 15A 40V, DPAK-5
Количество транзисторов - 2
Корпус - DPAK-5
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 10,4

57р.

Количество транзисторов - 2
Корпус - DPAK-5
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 10,4
APM4015P P-канальный 20A 40V, TO-252
Корпус - TO-252
Максимальное напряжение Сток-Исток (Vds), V - 40
Максимальный ток стока (Id), А - 20

69р.

Корпус - TO-252
Максимальное напряжение Сток-Исток (Vds), V - 40
Максимальный ток стока (Id), А - 20
BC817-40 (6C), N-P-N, 45 В, 500 мА, SOT-23, КИТАЙ

9р.

Показано с 16 по 30 из 91 (всего 7 страниц)