W25Q32BVSIG, EEPROM, SPI, 32 Мбит (4Мб), SOIC-8

Микросхема памяти W25Q32BVSIG, EEPROM, SPI, 32 Мбит (4Мб), напряжение 2.7...3.6 В, SOIC-8

---

•Семейство ИС энергонезависимой памяти SpiFlash ◦W25Q80: 8 Мбит/1 Мбайт (1,048,576)
◦W25Q16: 16 Мбит/2 Мбайт (2,097,152)
◦W25Q32: 32 Мбит/4 Мбайт (4,194,304)
◦Постраничное перепрограммирование (размер страницы 256 байт)

•Интерфейс SPI с тремя режимами ввода-вывода: стандартный, удвоенный или учетверенный ◦Стандартный режим интерфейса SPI: CLK, /CS, DI, DO, /WP, /Hold
◦Удвоенный SPI: CLK, /CS, IO0, IO1, /WP, /Hold
◦Учетверенный SPI: CLK, /CS, IO0, IO1, IO2, IO3

•Рекордно-высокая производительность среди прочих ИС флэш-памяти с последовательным интерфейсом ◦Повышение производительности до 6 крат относительно обычной последовательной флэш-памяти
◦Синхронизация частотой 80 МГц
◦Производительность, эквивалентная частоте синхронизации 160 МГц, в удвоенном режиме интерфейса SPI
◦Производительность, эквивалентная частоте синхронизации 320 МГц, в учетверенном режиме интерфейса SPI
◦Непрерывная передача данных с быстродействием 40 Мбайт/сек
◦Произвольная выборка данных с быстродействием 30 Мбайт/сек (выборка 32 байт)
◦Быстродействие сопоставимо с параллельной флэш-памятью с 16 линиями данных

•Гибкая архитектура с секторами размером 4 кбайт ◦Посекторное стирание (размер каждого сектора 4 кбайт)
◦Блочное стирание (32кбайт и 64 кбайт)
◦Программирование от 1 до 256 байт
◦До 100 тыс. циклов стирания/записи
◦20-летнее хранение данных

•Малая потребляемая мощность, широкий рабочий температурный диапазон ◦Одно напряжение питания 2.7…3.6 В
◦Типичный потребляемый ток: 4 мА (активный режим), <1 мкА (в режиме снижения мощности)
◦Рабочий температурный диапазон -40°C…+85°C

•Расширенные возможности защиты данных ◦Программная и аппаратная защита от записи данных
◦Выбор верхнего или нижнего, сектора или блока
◦Опциональные режимы защиты регистра статуса: Lock-Down (блокируется запись в регистр статуса до следующей повторной подачи питания) и OTP (регистр статуса становится однократно-программируемым и не может быть изменен в дальнейшем)
◦64-битный единообразный идентификатор для каждой ИС

•Миниатюрные корпуса ◦8-выв. SOIC (208 мд)
◦8-выв. WSON (6x5 мм) (W25Q80 и W25Q16)
◦16-выв. SOIC (300 мд) (W25Q16 и W25Q32)