Полевые

AOD2922 MOSFET N-канал 7A 100V 17W (D2922), TO-252

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 3

Корпус - TO-252

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 175

110р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 3

Корпус - TO-252

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 175

ПОПУЛЯРНЫЙ

AOD4185 MOSFET P-канал 31A 40V, TO-252

Корпус - TO-252

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 31

Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V - 40

49р.

Корпус - TO-252

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 31

Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V - 40

AOD4286 MOSFET N-канал 14A 100V 30W (D4286), TO-252

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 2,5

Корпус - TO-252

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 175

175р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 2,5

Корпус - TO-252

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 175

ПОПУЛЯРНЫЙ

AON6400 MOSFET N-канал 160A 30V, DFN8

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 13

Количество транзисторов - 1

Корпус - DFN8

135р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 13

Количество транзисторов - 1

Корпус - DFN8

ПОПУЛЯРНЫЙ

AON6407 MOSFET P-канал -67A -30V, DFN8

Количество транзисторов - 1

Корпус - DFN8

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 33

125р.

Количество транзисторов - 1

Корпус - DFN8

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 33

ПОПУЛЯРНЫЙ

AON6410 MOSFET N-канал 24A 30V, DFN8

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 6,3

Количество транзисторов - 1

Корпус - DFN8

125р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 6,3

Количество транзисторов - 1

Корпус - DFN8

ПОПУЛЯРНЫЙ

AON6411 MOSFET P-канал -85A -20V, DFN8

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 18

Количество транзисторов - 1

Корпус - DFN8

135р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 18

Количество транзисторов - 1

Корпус - DFN8

ПОПУЛЯРНЫЙ

AON6414 MOSFET N-канал 30A 30V, DFN8

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 5,5

Количество транзисторов - 1

Корпус - DFN8

165р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 5,5

Количество транзисторов - 1

Корпус - DFN8

ПОПУЛЯРНЫЙ

AON6414A MOSFET N-канал 50A 30V, DFN8

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 2

Количество транзисторов - 1

Корпус - DFN8

73р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 2

Количество транзисторов - 1

Корпус - DFN8

ПОПУЛЯРНЫЙ

AON6435 MOSFET P-канал -21.5A -30V, DFN8

Количество транзисторов - 1

Корпус - DFN8

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 12,5

125р.

Количество транзисторов - 1

Корпус - DFN8

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 12,5

ПОПУЛЯРНЫЙ

AON6754 MOSFET N-канал 85A 30V, DFN8

Количество транзисторов - 1

Корпус - DFN8

Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V - 30

105р.

Количество транзисторов - 1

Корпус - DFN8

Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V - 30

ПОПУЛЯРНЫЙ

AON7402 MOSFET N-канал 39A, DFN3X3EP

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 2,2

Корпус - DFN3X3EP

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

79р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 2,2

Корпус - DFN3X3EP

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

ПОПУЛЯРНЫЙ

AON7403 MOSFET P-канал 25A, DFN3X3EP

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 8,5

Корпус - DFN3X3EP

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

48р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 8,5

Корпус - DFN3X3EP

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

AON7406 MOSFET N-канал 25A, DFN3X3EP

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 3,5

Корпус - DFN3X3EP

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

75р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 3,5

Корпус - DFN3X3EP

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

AON7407 MOSFET P-канал 40A, DFN3X3EP

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 32

Корпус - DFN3X3EP

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

75р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 32

Корпус - DFN3X3EP

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

AON7408 MOSFET N-канал 32A, DFN3X3EP

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 12

Корпус - DFN3X3EP

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

51р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 12

Корпус - DFN3X3EP

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

ПОПУЛЯРНЫЙ

AON7409 MOSFET P-канал 32A, DFN3X3EP

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 12

Корпус - DFN3X3EP

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

79р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 12

Корпус - DFN3X3EP

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

AON7410 MOSFET N-канал 24A, DFN3X3EP

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 3,2

Корпус - DFN3X3EP

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

48р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 3,2

Корпус - DFN3X3EP

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

ПОПУЛЯРНЫЙ

AON7412 MOSFET N-канал 16A, DFN3X3EP

Аналоги - AON7410, AON7418, AON7414, AON7416

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 8

Корпус - DFN3X3EP

90р.

Аналоги - AON7410, AON7418, AON7414, AON7416

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 8

Корпус - DFN3X3EP

AONS32314 MOSFET N-канал 32A, DFN5X6

Аналоги - AONS32306

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 7,5

Корпус - DFN5X6

285р.

Аналоги - AONS32306

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 7,5

Корпус - DFN5X6

ПОПУЛЯРНЫЙ

AOP605 MOSFET NP-канал, 30 V, 7.5(6.6) A, 0.028(0.035) Ом, DIP-8

Корпус - DIP-8

Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V - 30

Максимальный ток сток-исток, А - 7.5(6.6)

40р.

Корпус - DIP-8

Максимальное напряжение Сток-Исток (Uds), V - 30

Максимальный ток сток-исток, А - 7.5(6.6)

ПОПУЛЯРНЫЙ

AP4511GH MOSFET N+P-канал 15A 35V, DPAK-5

Корпус - DPAK-5

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 10,4

Максимальное напряжение Затвор-Исток (Ugs), V - 20

56р.

Корпус - DPAK-5

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 10,4

Максимальное напряжение Затвор-Исток (Ugs), V - 20

ПОПУЛЯРНЫЙ

AP4525GEH MOSFET N+P-канал 15A 40V, DPAK-5

Количество транзисторов - 2

Корпус - DPAK-5

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 10,4

57р.

Количество транзисторов - 2

Корпус - DPAK-5

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd), W - 10,4

ПОПУЛЯРНЫЙ

APM4015P MOSFET P-канал 20A 40V 50W, TO-252

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 75

Корпус - TO-252

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

30р.

Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 75

Корпус - TO-252

Максимальная рабочая температура (Tj), °C - 150

Показано с 25 по 48 из 93 (всего 4 страниц)

Недавно просмотренные

Разъем micro USB MU-05 5pin для Samsung Galaxy Grand GT-I9082, SCH-i879

Клавиатура Sony Vaio VPC-CB17 черная без рамки

Мат.плата 715GA523-G0D-000-004Y для PHILIPS 272V8 (MV270FHB-N20)

2500р.

ПОПУЛЯРНЫЙ

Система охлаждения для MSI VR440 VR440X MS-1435 (E32-1700040-TA9) термотрубка с разбора

170р.

ПОПУЛЯРНЫЙ

Вентилятор Samsung R70 R560 R700 P208 P210 Q208 Q210 VER-2, 3pin

515р.

ПОПУЛЯРНЫЙ

Вентилятор Clevo W150, DNS 0164088, AB7905HX-DE3, 3pin, с разбора

215р.

Полевые

+7 (914) 430-6000

ВРЕМЯ РАБОТЫ

СЕРВИСНЫЙ ЦЕНТР

ДОСТАВКА