SODIMM (SO-DIMM)

SODIMM DDR Kingmax 256Mb 400 МГц (PC-3200) [MSXB62D-38KT4] Б/У
Память оперативная SODIMM DDR Kingmax 256Mb, частота шины 400 МГц (PC-3200) напряжение питания 2.5V,..
Б/У - Да
Напряжение питания - 2.5V
Объем - 256Mb

150р.

Б/У - Да
Напряжение питания - 2.5V
Объем - 256Mb
SODIMM DDR Kingston 256Mb 333 МГц (PC-2700) [KVR333X64SC25/256] Б/У
Память оперативная SODIMM DDR Kingston 256Mb, частота шины 333 МГц (PC-2700) напряжение питания 2.5V..
Б/У - Да
Напряжение питания - 2.5V
Объем - 256Mb

150р.

Б/У - Да
Напряжение питания - 2.5V
Объем - 256Mb
SODIMM DDR2 Hynix 1Gb 800 МГц (PC2-6400) [HYMP112S64CP6] Б/У
Память оперативная SODIMM DDR2 Hynix 1Gb, частота шины 800 МГц (PC2-6400), тайминги CL6 напряжение п..
Б/У - Да
Напряжение питания - 1.8V
Объем - 1Gb

250р.

Б/У - Да
Напряжение питания - 1.8V
Объем - 1Gb
SODIMM DDR2 Micron 1Gb 667 МГц (PC2-5300) [MT8HTF] Б/У
Память оперативная SODIMM DDR2 Micron 1Gb, частота шины 667 МГц (PC2-5300), тайминги CL5, Б/У..
Б/У - Да
Объем - 1Gb
Тайминги - CL5

300р.

Б/У - Да
Объем - 1Gb
Тайминги - CL5
SODIMM DDR2 Nanya 1Gb 667 МГц (PC2-5300) [NT1GT64U8HB0BN-3C] Б/У
Память оперативная SODIMM DDR2 Nanya 1Gb, частота шины 667 МГц (PC2-5300), тайминги CL12 напряжение ..
Б/У - Да
Напряжение питания - 1.8V
Объем - 1Gb

399р.

Б/У - Да
Напряжение питания - 1.8V
Объем - 1Gb
SODIMM DDR2 Nanya 512Mb 667 МГц (PC2-5300) [NT512T64UH8A1FN-3C] Б/У
Память оперативная SODIMM DDR2 Nanya 512Mb, частота шины 667 МГц (PC2-5300), тайминги CL5 напряжение..
Б/У - Да
Напряжение питания - 1.8V
Объем - 512Mb

199р.

Б/У - Да
Напряжение питания - 1.8V
Объем - 512Mb
SODIMM DDR2 Qimonda 512Mb 533 МГц (PC2-4200) [HYS64T64020HDL-3.7-A] Б/У
Память оперативная SODIMM DDR2 Qimonda 512Mb, частота шины 533 МГц (PC2-4200), тайминги CL5 напряжен..
Б/У - Да
Напряжение питания - 1.8V
Объем - 512Mb

149р.

Б/У - Да
Напряжение питания - 1.8V
Объем - 512Mb
SODIMM DDR2 Samsung 512Mb 533 МГц (PC2-4200) [M470T6554CZ3-CD5] Б/У
Память оперативная SODIMM DDR2 Samsung 512Mb, частота шины 533 МГц (PC2-4200), тайминги CL4 напряжен..
Б/У - Да
Напряжение питания - 1.8V
Объем - 512Mb

149р.

Б/У - Да
Напряжение питания - 1.8V
Объем - 512Mb
SODIMM DDR2 Samsung 512Mb 667 МГц (PC2-5300) [M470T6554EZ3-CE6] Б/У
Память оперативная SODIMM DDR2 Samsung 512Mb, частота шины 667 МГц (PC2-5300), тайминги CL5 напряжен..
Б/У - Да
Напряжение питания - 1.8V
Объем - 512Mb

199р.

Б/У - Да
Напряжение питания - 1.8V
Объем - 512Mb
SODIMM DDR2 Transcend 1Gb 800 МГц (PC2-6400) [JM800QSU-1G] Б/У
Память оперативная SODIMM DDR2 Transcend 1Gb, частота шины 800 МГц (PC2-6400), тайминги CL5 напряжен..
Б/У - Да
Напряжение питания - 1.8V
Объем - 1Gb

300р.

Б/У - Да
Напряжение питания - 1.8V
Объем - 1Gb
SODIMM DDR3 Elixir 1Gb 1333 MHz (PC3-10600) [M2S1G64CBH4B5P] Б/У
Память оперативная SODIMM DDR3 Elixir 1Gb, частота шины 1333 MHz (PC3-10600), тайминги 9-9-9-28 напр..
Б/У - Да
Напряжение питания - 1.5V
Объем - 1Gb

180р.

Б/У - Да
Напряжение питания - 1.5V
Объем - 1Gb
SODIMM DDR3 Elpida 1Gb 1066 МГц (PC3-8500) [EBJ10UE8BDS0-AE-F] Б/У
Память оперативная SODIMM DDR3 Elpida 1Gb, частота шины 1066 МГц (PC3-8500), тайминги CL7 напряжение..
Б/У - Да
Напряжение питания - 1.5V
Объем - 1Gb

180р.

Б/У - Да
Напряжение питания - 1.5V
Объем - 1Gb
SODIMM DDR3 Elpida 1Gb 1333 MHz (PC3-10600) [GU672203EP0200] Б/У
Память оперативная SODIMM DDR3 Elpida 1Gb, частота шины 1333 MHz (PC3-10600) напряжение питания 1.5V..
Б/У - Да
Напряжение питания - 1.5V
Объем - 1Gb

180р.

Б/У - Да
Напряжение питания - 1.5V
Объем - 1Gb
SODIMM DDR3 Hynix 1Gb 1333 MHz (PC3-10600) [HMT112S6TFR8C-H9] Б/У
Память оперативная SODIMM DDR3 Hynix 1Gb, частота шины 1333 MHz (PC3-10600), тайминги 9-9-9-28 напря..
Б/У - Да
Напряжение питания - 1.5V
Объем - 1Gb

180р.

Б/У - Да
Напряжение питания - 1.5V
Объем - 1Gb
SODIMM DDR3 Hynix 1Gb 1333 MHz (PC3-10600) [HMT312S6BFR6C-H9] Б/У
Память оперативная SODIMM DDR3 Hynix 1Gb, частота шины 1333 MHz (PC3-10600), тайминги 9-9-9-28 напря..
Б/У - Да
Напряжение питания - 1.8V
Объем - 1Gb

180р.

Б/У - Да
Напряжение питания - 1.8V
Объем - 1Gb
Показано с 1 по 15 из 56 (всего 4 страниц)