г. Чита GMT+9

Транзисторы

Выберите подкатегорию
FCPF20N60 MOSFET N-канальный, TO-220F
Корпус - TO-220F
Структура - N-канал
Тип транзистора - MOSFET

105р.

Корпус - TO-220F
Структура - N-канал
Тип транзистора - MOSFET
FDD390N15ALZ MOSFET N-канал 26A 150V (TO-252)
Максимальный непрерывный ток стока, А - 26
Напряжение исток-сток - 150V
Структура - N-канал

175р.

Максимальный непрерывный ток стока, А - 26
Напряжение исток-сток - 150V
Структура - N-канал
FQPF10N60C N-канал 9,5A 600V (TO-220F)

95р.

FQPF10N90C N-канал 10A 900V (TO-220F)

155р.

FQPF12N60 MOSFET N-канал 5.8A 600V, TO-220F
Корпус - TO-220F
Максимальное напряжение Сток-Исток (Vds), V - 600
Максимальный ток стока (Id), А - 5,8

275р.

Корпус - TO-220F
Максимальное напряжение Сток-Исток (Vds), V - 600
Максимальный ток стока (Id), А - 5,8
FQPF20N60C MOSFET N-канал 20A 600V, TO-220F
Корпус - TO-220F
Максимальное напряжение Сток-Исток (Vds), V - 600
Максимальный ток стока (Id), А - 20

320р.

Корпус - TO-220F
Максимальное напряжение Сток-Исток (Vds), V - 600
Максимальный ток стока (Id), А - 20
FQPF2N60C N-канал 2A 600V (TO-220F)

68р.

FQPF4N60C N-канал 4A 600V (TO-220F)

33р.

FQPF4N90C N-канал 4A 900V (TO-220F)

96р.

FQPF7N80C N-канал 7A 800V (TO-220F)
Максимальный непрерывный ток стока, А - 7
Напряжение исток-сток - 800V
Структура - N-канал

115р.

Максимальный непрерывный ток стока, А - 7
Напряжение исток-сток - 800V
Структура - N-канал
FQPF9N60C MOSFET N-канальный 9A 600V, TO-220F
Корпус - TO-220F
Максимальное напряжение Сток-Исток (Vds), V - 600
Максимальный ток стока (Id), А - 9

125р.

Корпус - TO-220F
Максимальное напряжение Сток-Исток (Vds), V - 600
Максимальный ток стока (Id), А - 9
IMZ4T108 сборка (BJT) NPN+PNP 32V 500mA 250MHz

160р.

IPD70R360P7S MOSFET N-канал 12,5A 700V, TO-252
Аналоги - 70R360
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 8
Корпус - TO-252

110р.

Аналоги - 70R360
Время задержки включения Rise Time (tr), ns - 8
Корпус - TO-252
IRF6775MTRPBF MOSFET N-канал (QFN)
Структура - N-канал
Тип корпуса - QFN
Тип транзистора - MOSFET

630р.

Структура - N-канал
Тип корпуса - QFN
Тип транзистора - MOSFET
IRF740P N-канал 10A 400V (TO-220AB)

130р.

IRF7904PBF 2N-канала 7,6A 30V (SOP-8)

76р.

IRF840PBF N-канал 8A 500V (TO-220AB)

65р.

IRLML2803GTRPBF 1,2A 30V (B8HGB), SOT-23
Количество транзисторов - 1
Корпус - SOT-23
Максимальное напряжение Сток-Исток (Vds), V - 30

43р.

Количество транзисторов - 1
Корпус - SOT-23
Максимальное напряжение Сток-Исток (Vds), V - 30
IRLML6402TRPBF (EKWAB) P-канал 3,7A 20V (SOT-23)

21р.

MDD70R900P MOSFET N-канал 5A 700V, TO-252
Корпус - TO-252
Максимальное напряжение Сток-Исток (Vds), V - 700
Максимальный ток стока (Id), А - 5

120р.

Корпус - TO-252
Максимальное напряжение Сток-Исток (Vds), V - 700
Максимальный ток стока (Id), А - 5
MG15G6EL1 6NPN, 600V, 15A
Макс. напряжение коллектор-эмиттер, В - 600
Макс. ток коллектора, А - 15

900р.

Макс. напряжение коллектор-эмиттер, В - 600
Макс. ток коллектора, А - 15
MMD65R900Q MOSFET N-канал, TO-252
Аналоги - 65R900
Корпус - TO-252
Структура - N-канал

140р.

Аналоги - 65R900
Корпус - TO-252
Структура - N-канал
OSG65R360DE MOSFET N-канал (TO-252)
Структура - N-канал
Тип корпуса - TO-252
Тип транзистора - MOSFET

280р.

Структура - N-канал
Тип корпуса - TO-252
Тип транзистора - MOSFET
OSG65R380DT MOSFET N-канал (TO-252)
Структура - N-канал
Тип корпуса - TO-252
Тип транзистора - MOSFET

250р.

Структура - N-канал
Тип корпуса - TO-252
Тип транзистора - MOSFET
Показано с 25 по 48 из 82 (всего 4 страниц)